200G QSFP-DD LR4 光トランシーバー HQSFPDD-2L2 LAN WDM DFB、PIN、0~70℃
特徴
● ホットプラグ可能な QSFP-DD MSA フォーム ファクタ
● 212.5Gb/秒の総ビットレートをサポート
● 消費電力 < 10W
●業務用ケース温度範囲0℃～70℃
●3.3V単一電源
● シングルモードファイバー (SMF) での最大リンク長 10km
●送信機：冷却4チャンネル200G PAM4 LAN WDM DML TOSA
●受信機：4チャンネル 200G PAM4 PIN ROSA
● 200GAUI-8 (または 200GAUI-4 ) 電気インターフェース
● デュプレックス LC レセプタクル
● DOM を使用した I2C 管理インターフェイス
アプリケーション
● IEEE 802.3bs 200GBASE-LR4 イーサネット（PAM4）
概要
ハイオプテルの200GQSFP-DDトランシーバ モジュールは、シングル モード ファイバ上の 200G イーサネット インターフェイスで使用するように設計されています。の両方に準拠しています。QSFP-DDMSAおよび200GBASE-LR4仕様。4 つの LAN WDM チャネルの中心波長は、IEEE 802.3ba で定義されている LAN WDM 波長グリッドのメンバーである 1295.56、1300.05、1304.58、および 1309.14 nm です。高性能冷却型 LAN WDM DML TOSA トランスミッターと PIN-PD レシーバーは、FEC を備えた最大 10km リンクまでの 200G イーサネット アプリケーションに優れたパフォーマンスを提供します。デジタル診断機能は、I2Cで指定されたインターフェースQSFP-DDMSA。この製品は、データセンター アプリケーションをサポートすることを目的としています。
注文情報
| 部品番号 | 説明 |
| HQSFPDD-2L2 | QSFP-DD200GBASE-LR4 LWDM 10km |
一般仕様:
| パラメータ | シンボル | 分 | 典型的な | マックス | ユニット | 注記 |
| データ レート、すべてのレーンの合計 | DR |
|
| 212.50 | Gb/秒 |
|
| データレート、各レーン |
|
| 26.5625 |
| Gb/秒 |
|
| データレートの精度 |
| -100 |
| 100 | ppm |
|
| リンク距離 | D |
|
| 10 | km |
絶対最大定格：
モジュールの性能は保証されず、動作範囲を超えるいかなる条件においても信頼性は保証されません。以下の制限を超えると、トランシーバー モジュールが永久に損傷する可能性があります。
| パラメータ | シンボル | 分 | マックス | ユニット | 注記 |
| 保管温度 | TST | -40 | +85 | ˚C |
|
| 動作ケース温度 | TOP | 0 | +70 | ˚C |
|
| 電源電圧 | VCC | -0.5 | +3.6 | V |
推奨動作条件：
| パラメータ | シンボル | 分 | 典型的な | マックス | ユニット | 注記 |
| 動作ケース温度 | TOP | 0 |
| +70 | ˚C |
|
| 電源電圧 | VCC | 3.135 | 3.3 | 3.465 | V |
電気的特性：
| パラメータ | シンボル | 分 | 典型的な | マックス | ユニット | 注記 |
| 電源電圧 | VCC | 3.135 | 3.3 | 3.465 | V |
|
| 電源電流 | ICC |
|
| 3 | A |
|
| 消費電力 | P |
|
| 10 | W |
|
| 送信機の特性 (モジュール出力) | ||||||
| 差動データ入力スイング | +/-TX_DAT | 20 |
| 1200 | mVpp |
|
| コモンモード電圧 | VCM | -350 |
| 2850 | mV | 1 |
| 受信機の特性 (モジュール入力) | ||||||
| 差動データ出力スイング | +/-RX_DAT | 200 |
| 900 | mVpp |
|
| コモンモード電圧 | VCM | -350 |
| 2850 | mV | 1 |
| コモンモードノイズ、RMS | VNO |
|
| 17.5 | mV |
|
注: 1.Vcmホストによって生成されます。仕様にはグランドオフセット電圧の影響が含まれています。
光学特性:
| パラメータ | シンボル | 分 | 典型的な | マックス | ユニット | 注記 |
| レーン波長 | L0 | 1294.53 | 1295.56 | 1296.59 | nm | |
| L1 | 1299.02 | 1300.05 | 1301.09 | nm | ||
| L2 | 1303.54 | 1304.58 | 1305.63 | nm | ||
| L3 | 1308.09 | 1309.14 | 1310.19 | nm | ||
| 送信機の特性 (レーンごと) | ||||||
| シグナリング レート、各レーン 26.5625 GBd PAM4 |
|
| 26.5625 |
| GBd | PAM4 変調 |
| サイドモード抑制比 | SMSR | 30 |
|
| dB |
|
| 総平均発射力 | PT |
|
| 11.3 | dBm |
|
| レーンごとの平均発射パワー | P平均 | -3.4 |
| 5.3 | dBm |
|
| 消光比 | ER | 3.5 |
|
| dB |
|
| O究極の光変調A振幅(OMA外側)、各レーン | Pオマ | -0.4 |
| 5.1 | dBm |
|
| 2本のランス（OMAアウター）の発射力の違い |
|
|
| 4 | dB |
|
| OMAouter での打ち上げ出力から TDEC を差し引いた値Q、各レーン |
| -1.7 |
|
| dBm |
|
| 送信機と分散PAM4(TDECQ)各レーンのアイクロージャー | T12月 |
|
| 3.2 | dB |
|
| 平均起動パワーオフ送信機、各レーン | Pオフ |
|
| -30 | dBm |
|
| 相対強度ノイズ | リン |
|
| -132 | dB/Hz |
|
| 光学的リターンロス許容誤差 |
|
| 15.6 | dB |
| |
| 送信機の反射率 |
|
| -26 | dB |
| |
| 受信機の特性 (レーンごと) | ||||||
| 信号速度、各レーン |
|
| 26.5625 |
| GBd | PAM4 変調 |
| 信号速度の変動、各レーン |
| -100 |
| +100 | ppm |
|
| レーン波長範囲 | L0 | 1294.53 | 1295.56 | 1296.59 | nm |
|
| L1 | 1299.02 | 1300.05 | 1301.09 | nm |
| |
| L2 | 1303.54 | 1304.58 | 1305.63 | nm |
| |
| L3 | 1308.09 | 1309.14 | 1310.19 | nm |
| |
| ダメージ閾値、各レーン | Rダム | 6.3 |
|
| dBm |
|
| 平均受信電力、各レーン | ルパウ | -9.7 |
| 5.3 | dBm |
|
| 受信電力 (OMAouter)、各レーン | ローマ |
|
| 5.1 | dBm |
|
| 任意の 2 つのレーン間の受信電力の差 (OMAouter) |
|
|
| 4.2 | dB |
|
| 受信機の反射率 |
|
|
| -26 | dB |
|
| 受信感度(OMAouter)、各レーン | SENそれぞれ |
|
| -7.7 | dBm |
|
| ストレスを受けた受信者感度(OMAouter)、各レーン |
|
|
| -5.2 | dBm |
|
| ストレス受信感度試験の条件 | ||||||
| PAM4(SECQ) の強調されたアイクローズ、テスト中のレーン |
|
|
| 3.2 | dB |
|
| オマ外側 各アグレッサーレーンの |
|
|
| -1 | dBm | |
トランシーバーのブロック図
形2。トランシーバーのブロック図
ピンの定義と説明
図 3. MSA 準拠コネクタ (QSFP-DD MSA ごと)
高速電気インターフェースの特別解説
電気インターフェースは以下に準拠する必要があります。QSFP-DDMSA規格。電気インターフェース
アプリケーションによって異なりますが、公称シグナリング レーン レートはレーンあたり 26.5625Gbit/s です。
200GAUI-8に準拠（または200GAUI-4)電気インターフェース仕様。
表 7 200Gb/s がサポートする高速信号データ レートQSFP-DD
| 標準 | 説明 | 公称ビットレート | 単位 |
| IEEE標準-802.3bs | 200Gイーサネット | 26.5625 | Gbps |
機械仕様
この製品は以下に対応しています。QSFP-DDプラグイン可能なフォームファクターモジュールの仕様。
図 4. 機械的寸法 (単位は mm)
ESD
このトランシーバーは、JESD22-A114-B (人体モデル) に従ってテストされ、高速ピンでは ESD しきい値 500V の静電放電、他のすべての電気入力ピンでは 2kV の静電放電として指定されています。ただし、このモジュールの取り扱い中は、通常の ESD 予防措置が依然として必要です。このトランシーバーは、ESD 保護パッケージで出荷されます。パッケージから取り出し、ESD 保護された環境でのみ取り扱う必要があります。
レーザーの安全性
これは、EN 60825-1:2014 に基づくクラス 1 レーザー製品です。この製品は、Laser Notice No. 50 (2007 年 6 月 24 日) に基づく逸脱を除き、21 CFR 1040.10 および 1040.11 に準拠しています。
注意: ここで指定されているもの以外の制御や調整を使用したり、手順を実行すると、危険な放射線被ばくが生じる可能性があります。
改訂履歴
| リビジョン | 日付 | 説明 |
| 予備 | 2021/1/20 | 暫定データシート |